Microchip เปิดตัวโมดูลพลังงาน 3.3 kV HV‑D3 mSiC®เพื่อการรองรับหม้อแปลงไฟฟ้าแบบโซลิดสเตต (SST) สำหรับขับเคลื่อนศูนย์ข้อมูล AI [PR]

Microchip Technology (Nasdaq: MCHP) ในวันนี้ได้ประกาศเปิดตัว โมดูลพลังงาน 3.3 kV HV‑D3 mSiC® รุ่นใหม่ที่พร้อมจำหน่าย ซึ่งได้รับการออกแบบมาเพื่อสนับสนุนการประยุกต์ใช้หม้อแปลงไฟฟ้าแบบโซลิดสเตต (SST) ในศูนย์ข้อมูลขนาดใหญ่สำหรับ AI และการใช้งานรูปแบบอื่นที่ต้องอาศัยไฟฟ้าแรงดันสูง ให้มีความเรียบง่ายและรวดเร็วยิ่งขึ้น โมดูลรุ่นใหม่นี้ผสานด้วยซิลิคอนคาร์ไบด์ 3.3 kV (SiC) mSiC® MOSFETs และช็อตต์กีไดโอด (Schottky diodes) ในแพ็กเกจมาตรฐานอุตสาหกรรมขนาด 62 มม. มอบการส่งผ่านพลังงานอย่างมีประสิทธิภาพ จากโครงข่ายไฟฟ้าแรงดันปานกลางไปยังตู้เซิร์ฟเวอร์โดยตรง 

ขณะที่ศูนย์ข้อมูล AI มีการขยายตัวอย่างต่อเนื่อง การสร้างโทเคนถูกจำกัดด้วยความพร้อมด้านพลังงาน และประสิทธิภาพการใช้พลังงานคือปัจจัยสำคัญที่กำหนดความคุ้มค่าของการลงทุน (ROI) สถาปัตยกรรมดั้งเดิมที่พึ่งพาหม้อแปลงไฟฟ้าขนาดเทอะทะและจ่ายกระแสไฟฟ้าต่ำทำให้ระบบมีความซับซ้อน เกิดความสูญเสียเพิ่มขึ้น และมีความยืดหยุ่นที่จำกัด หม้อแปลงไฟฟ้าแบบโซลิดสเตตจึงเข้ามานำเสนอการเปลี่ยนแปลงในระดับรากฐานของการจ่ายพลังงาน ลดขั้นตอนในการแปลงไฟ และยกระดับประสิทธิภาพในระบบให้เพิ่มสูงขึ้น เมื่ออุตสาหกรรมหันไปใช้วิธีการจ่ายไฟฟ้ากระแสตรงแรงดันสูงให้แก่อุปกรณ์และสิ่งอำนวยความสะดวกสำหรับ AI รุ่นใหม่ จึงยิ่งช่วยเน้นย้ำประสิทธิภาพของหม้อแปลง SST ให้เด่นชัดยิ่งขึ้น เนื่องจากหม้อแปลงรุ่นนี้ได้รับการออกแบบมาเพื่อจ่ายไฟฟ้ากระแสตรงที่ควบคุมแรงดันแล้ว (Regulated DC) จากโครงข่ายไฟฟ้าแรงดันปานกลางไปยังปลายทางโดยตรง โดยมีขั้นตอนการแปลงไฟที่น้อยลง

โมดูล HV‑D3 mSiC ของ Microchip ได้รับการออกแบบทางวิศวกรรมมาโดยเฉพาะเพื่อให้สอดคล้องตามข้อกำหนดเหล่านี้ โดยโมดูลนี้จะใช้เทคโนโลยี mSiC MOSFET ของ Microchip ซึ่งนำเสนอเสถียรภาพของค่า R_DS(on)  แม้ในขณะที่อุณหภูมิเกิดการเปลี่ยนแปลงและมีความสามารถในการแข่งขันสูง แพ็กเกจที่รองรับการแยกฉนวนไฟฟ้าถึง 6 kV พร้อมวัสดุมาตรฐาน CTI 600 และระยะตามพื้นผิวฉนวนที่เพิ่มขึ้น ออกแบบมาเพื่อมอบการเชื่อมต่อแบบอนุกรมที่ปลอดภัยสำหรับการดำเนินงานที่อาศัยไฟฟ้าแรงดันสูง ฐานรองซิลิคอนไนไตรด์ (Si₃N₄) ช่วยมอบประสิทธิภาพการนำความร้อนและความสามารถในการทนต่อรอบภาระกำลัง (Power-cycling) ที่ดียิ่งขึ้นช่วยให้นักออกแบบเพิ่มความหนาแน่นของกำลังไฟฟ้าให้เพิ่มสูงขึ้นได้โดยไม่ต้องใช้ระบบระบายความร้อนที่รุนแรงจนเกินไป

“ขณะที่ศูนย์ข้อมูล AI กำลังทลายขีดจำกัดในการจ่ายพลังงานจากโครงข่ายไฟฟ้าไปสู่ GPU อย่างต่อเนื่อง ความจำเป็นในการพึ่งพาหม้อแปลงไฟฟ้าแบบโซลิดสเตตก็ยิ่งเพิ่มสูงขึ้นเป็นอย่างมาก” เคลย์ตัน พิลเลียน รองประธานบริษัท หน่วยธุรกิจโซลูชันพลังงานสูงแห่ง Microchip กล่าว “โมดูลพลังงาน 3.3 kV HV-D3 mSiC ของเราช่วยให้นักออกแบบสามารถลดจำนวนอุปกรณ์ที่เชื่อมต่อแบบอนุกรมลงได้ราวครึ่งหนึ่ง เมื่อเทียบกับการใช้ SiC ที่ให้แรงดันไฟฟ้าต่ำกว่า เมื่อเชื่อมต่อกับโครงข่ายไฟฟ้าขนาด 13.8 kV หรือ 34.5 kV นอกจากนี้ อุปกรณ์นี้ยังช่วยอุดช่องว่างสำคัญในตลาดอุตสาหกรรม สำหรับผลิตภัณฑ์กลุ่ม 100–300A ทั้งยังเป็นตัวเชื่อมอุปกรณ์ SiC แบบแยกส่วนเข้ากับโมดูลพลังงานที่มีขนาดใหญ่กว่ามากอีกด้วย” 

โมดูลพลังงาน HV‑D3 mSiC พร้อมจำหน่ายทั้งในรูปแบบวงจร Half‑bridge และ Common‑source โดยมีทั้งรุ่นที่ติดตั้งและไม่ได้ติดตั้งช็อตต์กีไดโอดแบบขนานย้อนกลับ (Anti-parallel Schottky diodes) เพื่อรองรับการใช้งานในช่วงกระแสไฟฟ้า 100-300A เทคโนโลยี mSiC MOSFET ของ Microchip มอบค่าความสูญเสียจากการสวิตช์ที่สมดุล ทั้งสำหรับโทโพโลยีแบบ Hard‑switched และ Soft‑switched ส่งผลให้อุปกรณ์นี้เหมาะสำหรับการออกแบบหม้อแปลงไฟฟ้า SST และระบบไฟฟ้าแรงดันสูงและความถี่สูงรูปแบบอื่น ๆ 

ขณะที่ได้รับการปรับแต่งให้มีความเหมาะสมสำหรับหม้อแปลงไฟฟ้าแบบโซลิดสเตตในศูนย์ข้อมูล AI โมดูลพลังงาน HV‑D3 mSiC ยังรองรับการใช้งานในหลากหลายประเภท อาทิ โครงสร้างพื้นฐานการชาร์จระดับเมกะวัตต์สำหรับยานพาหนะงานหนัก แหล่งจ่ายไฟเสริมสำหรับระบบรางและการขนส่งหนัก ระบบขับเคลื่อนมอเตอร์แรงดันปานกลาง รวมถึงระบบพลังงานสำหรับภาคอุตสาหกรรมและการป้องกันประเทศ โดยตลาดเหล่านี้ได้รับประโยชน์จากการผสมผสานในรูปแบบเดียวกันระหว่างคุณสมบัติการแยกฉนวนไฟฟ้าระดับสูง เสถียรภาพในการจัดการความร้อน และประสิทธิภาพในการแปลงพลังงาน 

Microchip พรั่งพร้อมด้วยประสบการณ์ว่า 20 ปีในการพัฒนา ออกแบบ ผลิต และสนับสนุนอุปกรณ์ SiC และโซลูชันพลังงาน เพื่อช่วยให้ลูกค้าสามารถนำ SiC ไปปรับใช้ได้อย่างง่ายดาย รวดเร็ว และมั่นใจ ผลิตภัณฑ์ mSiC และโซลูชันของบริษัทได้รับการออกแบบมาเพื่อลดต้นทุนระบบ เร่งเวลาการนำออกสู่ตลาด รวมถึงลดความเสี่ยง Microchip นำเสนอกลุ่มผลิตภัณฑ์ที่หลากหลายและยืดหยุ่นสำหรับ SiC ไดโอด MOSFETs และไดรเวอร์เกต สำหรับข้อมูลเพิ่มเติม โปรดเยี่ยมชมเว็บไซต์ของเราที่ www.microchip.com/sic. 

เครื่องมือพัฒนา

โมดูลพลังงาน 3.3 kV รองรับด้วย บันทึกการประยุกต์ใช้งาน คู่มือการออกแบบ รวมถึงโมเดลอุปกรณ์และแบบจำลองสถานการณ์ สำหรับการสร้างต้นแบบที่รวดเร็ว นอกจากนี้ Microchip ยังให้การสนับสนุนทางเทคนิค บริการด้านการออกแบบ และการสนับสนุนทางวิศวกรรมสำหรับการใช้งานภาคสนามทั่วโลก 

ราคาและความพร้อมจำหน่าย

โมดูลพลังงาน 3.3 kV พร้อมจำหน่ายในปริมาณสำหรับการผลิตเชิงพาณิชย์ คุณสามารถ สั่งซื้อ ได้โดยตรงจาก Microchip หรือติดต่อ ตัวแทนฝ่ายขายหรือผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาตทั่วโลก ของ Microchip

แหล่งข้อมูล

สามารถดูรูปภาพความละเอียดสูงได้ผ่านทาง Flickr หรือติดต่อบรรณาธิการ (พร้อมที่จะเผยแพร่):รูปภาพการใช้งาน: www.flickr.com/photos/microchiptechnology/55264371024/sizes/l