ManuTalkThai ศูนย์รวมข่าว Industrial Technology ออนไลน์ในประเทศไทย
นักวิจัยจาก Fraunhofer ISE (เยอรมนี) แสดงให้เห็นว่า เทคนิค “In Situ Gettering” ระหว่างการสร้างชั้นสัมผัสแบบพาสซีฟ TOPCon (Tunnel Oxide Passivating Contact) ในโครงสร้างแบบอสมมาตร n/p ช่วย เพิ่มคุณภาพวัสดุของเวเฟอร์ซิลิคอนอีพิแทกเชียลชนิด n (EpiWafer) ที่ผลิตด้วยกระบวนการเติบโตแบบแก๊สโดยตรง
Read More »นักวิจัยเยอรมันเผย เผยเทคนิคใหม่ “In Situ Gettering” ยกระดับเวเฟอร์ซิลิคอน Epi สำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ประสิทธิภาพสูง
