Samsung เริ่มเดินสายการผลิตหน่วยความจำแบนด์วิธสูงรุ่นล่าสุด HBM3E 12Hi จำนวนมากตั้งแต่ต้นปี 2025 โดยมีการส่งมอบเวเฟอร์ชุดแรกในเดือนกุมภาพันธ์ แต่ละ Stack มีความจุถึง 36 GB จากการอัดแน่นหน่วยความจำ 12 เลเยอร์
Read More »Samsung เริ่มเดินสายการผลิตหน่วยความจำแบนด์วิธสูงรุ่นล่าสุด HBM3E 12Hi จำนวนมากตั้งแต่ต้นปี 2025 โดยมีการส่งมอบเวเฟอร์ชุดแรกในเดือนกุมภาพันธ์ แต่ละ Stack มีความจุถึง 36 GB จากการอัดแน่นหน่วยความจำ 12 เลเยอร์
Read More »