ManuTalkThai ศูนย์รวมข่าว Industrial Technology ออนไลน์ในประเทศไทย
ล่าสุด สองยักษ์ใหญ่แห่งวงการเซมิคอนดักเตอร์อย่าง Intel และ Applied Materials ได้ประกาศความร่วมมือครั้งสำคัญเพื่อยกระดับกระบวนการผลิตชิปแห่งอนาคต
การจับมือกันครั้งนี้ครอบคลุมการพัฒนาตั้งแต่กระบวนการผลิตส่วนหน้า (Front-end) ไปจนถึงส่วนหลัง (Back-end) โดยทีมผู้เชี่ยวชาญจะทำงานร่วมกันในสองฐานที่มั่นหลัก ได้แก่ ศูนย์ R&D ของ Intel ในเมืองฮิลส์โบโร รัฐโอเรกอน และศูนย์วิจัย EPIC (Equipment and Process Innovation and Commercialization) แห่งใหม่ของ Applied Materials ในซิลิคอนแวลลีย์ ซึ่งมีกำหนดเปิดทำการช่วงปลายปีนี้
โปรเจกต์นี้จะมุ่งเน้นไปที่การสร้างทรานซิสเตอร์เจเนอเรชันถัดไป การลดขนาดและเพิ่มประสิทธิภาพจุดเชื่อมต่อ (Interconnect) และเทคโนโลยีการบรรจุชิปขั้นสูงแบบเรียงซ้อน 3 มิติ (3D Stacking) ภายใต้สถาปัตยกรรม Foveros เป้าหมายคือการทำให้ชิปสามารถส่งข้อมูลได้หนาแน่นขึ้น จัดการพลังงานได้ดีขึ้น และระบายความร้อนได้อย่างยอดเยี่ยม ซึ่งล้วนเป็นคุณสมบัติไฟต์บังคับสำหรับแพลตฟอร์มประมวลผลประสิทธิภาพสูงที่ต้องใช้รันงาน AI สุดโหด
Dr. Prabu Raja ประธานกลุ่มผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์ของ Applied Materials ชี้ให้เห็นว่า แผนงานการผลิตชิปในแต่ละโหนดมีความซับซ้อนขึ้นเรื่อยๆ การจะผลักดันนวัตกรรมใหม่ๆ ออกสู่ตลาดได้เร็วขึ้น จึงต้องอาศัยการทำงานร่วมกันอย่างลึกซึ้งระหว่างทีม R&D และทีมผลิต
ทางด้าน Naga Chandrasekaran ผู้บริหารระดับสูงจาก Intel Foundry เสริมว่า การเร่งสปีดงานวิจัยคือหัวใจสำคัญที่จะทำให้ Intel สามารถส่งมอบเทคโนโลยีและบริการผลิตชิปที่ยอดเยี่ยมตามที่ลูกค้าคาดหวังได้ โดยศูนย์ EPIC ของ Applied Materials จะเป็นสภาพแวดล้อมที่สมบูรณ์แบบให้ทีมงานทั้งสองฝั่งทดลองและพัฒนานวัตกรรมวัสดุศาสตร์ได้รวดเร็วยิ่งขึ้น
ศูนย์ EPIC Center มูลค่า 5 พันล้านดอลลาร์สหรัฐฯ ของ Applied Materials กำลังกลายเป็นแม่เหล็กดึงดูดนวัตกรรมระดับโลก เพราะก่อนหน้านี้ไม่นาน พวกเขาก็เพิ่งประกาศความร่วมมือกับ SK Hynix ในการพัฒนาหน่วยความจำ DRAM และ HBM รุ่นถัดไป การดึง Intel เข้ามาเป็นพาร์ทเนอร์ผู้ร่วมก่อตั้งศูนย์วิจัยแห่งนี้ จึงเป็นอีกก้าวสำคัญที่จะช่วยร่นเวลาในการพัฒนาเทคโนโลยีชิปใหม่ๆ ออกสู่อุตสาหกรรมได้อย่างเป็นรูปธรรม
