ManuTalkThai ศูนย์รวมข่าว Industrial Technology ออนไลน์ในประเทศไทย
Samsung เริ่มเดินสายการผลิตหน่วยความจำแบนด์วิธสูงรุ่นล่าสุด HBM3E 12Hi จำนวนมากตั้งแต่ต้นปี 2025 โดยมีการส่งมอบเวเฟอร์ชุดแรกในเดือนกุมภาพันธ์ แต่ละ Stack มีความจุถึง 36 GB จากการอัดแน่นหน่วยความจำ 12 เลเยอร์
การตัดสินใจผลิตในครั้งนี้เกิดขึ้น ก่อน ที่ Nvidia จะอนุมัติชิปอย่างเป็นทางการ ซึ่งถือเป็นความเสี่ยง เนื่องจาก Samsung อาจมีสินค้าคงค้างจำนวนมากหากการรับรองเกิดปัญหา
ความเสี่ยงและโอกาส:
- ความเสี่ยง: หาก Nvidia อนุมัติล่าช้า (อาจถึงเดือนกรกฎาคม ทำให้การจัดส่งจริงเป็นธันวาคมหรือมกราคม) ตลาดอาจเปลี่ยนไปใช้ HBM4 แล้ว ทำให้ความต้องการ HBM3E ลดลง การเก็บรักษาสินค้าคงคลังจำนวนมากยังเป็นการผูกมัดเงินทุนและอาจกระทบต่ออัตรากำไร
- โอกาส: หากการรับรองผ่านไปด้วยดี Samsung จะสามารถ ผลักดันโมดูลออกสู่ตลาดได้ทันที โดยไม่ต้องรอระยะเวลานำในการผลิต ช่วยลดปัญหาการขาดแคลนอุปทาน และอาจเปลี่ยนอำนาจต่อรองด้านราคามาอยู่ในมือของ Samsung
กลยุทธ์ “ผลิตก่อน อนุมัติตามมา”:
Samsung มั่นใจว่า HBM3E 12Hi ของตนเองจะตอบสนองความต้องการด้านเสถียรภาพและ Throughput ของ Nvidia การผลิตจำนวนมากก่อนได้รับการอนุมัติเป็นกลยุทธ์เชิงรุกเพื่อ ชิงความได้เปรียบด้านอุปทาน ในตลาดหน่วยความจำที่มีการเปลี่ยนแปลงอย่างรวดเร็ว
ผลกระทบต่อห่วงโซ่อุปทาน:
การเพิ่มกำลังการผลิต HBM3E ส่งผลกระทบต่อผู้ผลิต Substrate, โรงงานบรรจุภัณฑ์ และพันธมิตรด้านการทดสอบ ซึ่งทั้งหมดต้องขยายกำลังการผลิตตามไปด้วย สำหรับผู้พัฒนาตัวเร่งความเร็ว AI ความพร้อมใช้งานของหน่วยความจำถือเป็นปัจจัยสำคัญ กลยุทธ์ของ Samsung อาจช่วย ลดปัญหาคอขวดด้านอุปทาน ในอนาคต
ที่มา : https://www.guru3d.com/story/samsung-electronics-starts-hbm3e-12hi-manufacturing-early/
