Semiconductor

Siemens Digital Industries Software และ TSMC ได้ขยายความร่วมมืออันยาวนานให้ลึกซึ้งยิ่งขึ้น เพื่อขับเคลื่อนนวัตกรรมในการออกแบบและบูรณาการเซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูง โดยมีเป้าหมายร่วมกันในการเสริมสร้างศักยภาพของผลิตภัณฑ์และช่วยให้ลูกค้ารับมือกับความท้าทายในอนาคต

Fujifilm ได้ลงนามในบันทึกความเข้าใจ (MOU) กับ Tata Electronics เพื่อสร้างซัพพลายเชนการผลิตและจัดหาวัสดุเซมิคอนดักเตอร์ในอินเดีย ความร่วมมือนี้สอดคล้องกับความพยายามของอินเดียใน การผลิตเซมิคอนดักเตอร์ในประเทศ เพื่อลดการพึ่งพาการนำเข้า

Samsung เริ่มเดินสายการผลิตหน่วยความจำแบนด์วิธสูงรุ่นล่าสุด HBM3E 12Hi จำนวนมากตั้งแต่ต้นปี 2025 โดยมีการส่งมอบเวเฟอร์ชุดแรกในเดือนกุมภาพันธ์ แต่ละ Stack มีความจุถึง 36 GB จากการอัดแน่นหน่วยความจำ 12 เลเยอร์

ในงานแสดงสินค้า Foundry ของตนเอง Intel ได้เปิดเผยรายละเอียดเชิงลึกเกี่ยวกับเทคโนโลยีการผลิตชิปล่าสุด 14A ซึ่งคาดว่าจะช่วยให้ Intel กลับมาแข่งขันในตลาดได้อย่างแข็งแกร่ง โดยจะเริ่มใช้งานจริงในปี 2027

ในการประชุม North America Technology Symposium ที่ผ่านมา Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) ประกาศความพร้อมในการเปิดตัวกระบวนการผลิตชิปล่าสุด A14 ขนาด 1.4 นาโนเมตร โดยคาดว่าจะเริ่มผลิตจำนวนมากได้ภายในปี 2028 ซึ่งเป็นการตอกย้ำแผนการพัฒนาเทคโนโลยีอย่างต่อเนื่องหลังจากการผลิตชิป A16 ในปี 2026

โมดูลพลังงาน MCPF1412 ที่มีอินเทอร์เฟซ I 2 C และ PMBus® ในตัว สำหรับการกำหนดค่าและการตรวจสอบที่ยืดหยุ่น

บริษัท ROHM ได้เปิดตัวโมดูล SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) รูปแบบใหม่ ทั้งแบบ 4-in-1 และ 6-in-1 ในแพ็คเกจ HSDIP20 ซึ่งได้รับการออกแบบมาเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพให้กับวงจร PFC (Power Factor Correction) และ LLC Converter ที่ใช้ในเครื่องชาร์จแบบติดตั้งในตัวรถยนต์ไฟฟ้า (Onboard Charger – OBC) กลุ่มผลิตภัณฑ์ใหม่นี้มีทั้งหมด 13 โมดูล แบ่งเป็น 6 รุ่นสำหรับแรงดันไฟฟ้า 750V และอีก 7 รุ่นสำหรับแรงดันไฟฟ้า 1200V โดย ROHM ได้รวมวงจรพื้นฐานที่จำเป็นสำหรับการแปลงผันพลังงานในหลากหลายแอปพลิเคชันกำลังสูงไว้ในแพ็คเกจขนาดกะทัดรัดนี้

ท่ามกลางความผันผวนของตลาด Kurt Sievers ประธานและประธานเจ้าหน้าที่บริหาร (CEO) ของบริษัทผลิตชิปสัญชาติเนเธอร์แลนด์ NXP ได้ประกาศความตั้งใจที่จะลาออกจากตำแหน่งในช่วงสิ้นปีนี้ อย่างไรก็ตาม บริษัทได้เตรียม Rafael Sotomayor ซึ่งปัจจุบันดำรงตำแหน่งหัวหน้าหน่วยธุรกิจ Secure Connected Edge เป็นผู้สืบทอดตำแหน่งไว้เรียบร้อยแล้ว

ในยุคที่เซมิคอนดักเตอร์มีขนาดเล็กลงแต่ทรงพลังมากขึ้น ปัญหาการจัดการความร้อนจึงกลายเป็นความท้าทายสำคัญสำหรับอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์ ระบบระบายความร้อนแบบเดิมเริ่มแสดงข้อจำกัดในการกำจัดความร้อนออกจากพื้นที่ขนาดเล็กที่มีความหนาแน่นความร้อนสูง อย่างไรก็ตาม นักวิจัยจากมหาวิทยาลัยโตเกียวได้ก้าวข้ามขีดจำกัดนี้ด้วยการสร้างสรรค์โครงสร้างไมโครแชนเนล 3 มิติแบบใหม่สำหรับการระบายความร้อนของชิป ซึ่งมีศักยภาพในการเปลี่ยนแปลงวิธีการจัดการความร้อนในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์อย่างสิ้นเชิง

นักวิศวกรจาก MIT พัฒนาเทคนิคใหม่ในการสร้าง “ผิวหนัง” อิเล็กทรอนิกส์ที่บางเฉียบอย่างยิ่งยวด ซึ่งอาจนำไปสู่การพัฒนา เซ็นเซอร์สวมใส่บางพิเศษ, ทรานซิสเตอร์/คอมพิวเตอร์ยืดหยุ่น, และอุปกรณ์ถ่ายภาพความไวสูงขนาดเล็ก