ในการประชุม North America Technology Symposium ที่ผ่านมา Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) ประกาศความพร้อมในการเปิดตัวกระบวนการผลิตชิปล่าสุด A14 ขนาด 1.4 นาโนเมตร โดยคาดว่าจะเริ่มผลิตจำนวนมากได้ภายในปี 2028 ซึ่งเป็นการตอกย้ำแผนการพัฒนาเทคโนโลยีอย่างต่อเนื่องหลังจากการผลิตชิป A16 ในปี 2026

แม้ว่าเทคโนโลยี A14 จะมีขนาดเล็กถึง 1.4 นาโนเมตร ซึ่งหลายฝ่ายคาดว่าจะต้องใช้เทคโนโลยี High NA-EUV แต่ TSMC ยืนยันว่าจะยังไม่ใช้เทคโนโลยีดังกล่าวในกระบวนการผลิต A14 ในขณะนี้ อย่างไรก็ตาม จะนำเทคโนโลยี Backside Power Distribution มาใช้ในรุ่น A14P ที่จะเปิดตัวในปี 2029
จุดเด่นของกระบวนการผลิต A14:
- พัฒนาบนพื้นฐานของ ทรานซิสเตอร์ Gate-All-Around (GAA) แบบ Nanosheet รุ่นที่สอง
- เมื่อเทียบกับกระบวนการ N2 ขนาด 2 นาโนเมตร จะให้:
- ความถี่สัญญาณนาฬิกาสูงขึ้น 15 เปอร์เซ็นต์ ที่การใช้พลังงานเท่ากัน
- ลดการใช้พลังงานลง 30 เปอร์เซ็นต์ ที่ความถี่สัญญาณนาฬิกาเดียวกัน
- ความหนาแน่นของวงจรตรรกะเพิ่มขึ้น 20 เปอร์เซ็นต์
- TSMC เปรียบเทียบประสิทธิภาพของ A14 กับ N2 โดยตรง ซึ่งยังใช้ทรานซิสเตอร์แบบ FinFET อยู่ โดยไม่ได้เปรียบเทียบกับ A16 ที่จะเปิดตัวก่อนหน้า
- เปิดตัวแพลตฟอร์ม “NanoFlex Pro” เพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพในระดับชิป
การประกาศครั้งนี้แสดงให้เห็นถึงความมุ่งมั่นของ TSMC ในการรักษาตำแหน่งผู้นำในอุตสาหกรรมการผลิตชิปด้วยการพัฒนาเทคโนโลยีที่ก้าวล้ำอย่างต่อเนื่อง