ก้าวกระโดดครั้งใหญ่! Samsung ตั้งทีมพัฒนาเทคโนโลยี 1 นาโนเมตร เล็งผลิตปี 2029

สื่อท้องถิ่นรายงานว่า Samsung กำลังเดินหน้าพัฒนาเทคโนโลยีกระบวนการผลิตระดับ 1 นาโนเมตร โดยได้จัดตั้งทีมงานเฉพาะกิจเพื่อศึกษาเทคโนโลยีที่จำเป็น ซึ่งรวมถึงการใช้เครื่องฉายแสง high-NA EUV (Extreme Ultraviolet) และตั้งเป้าที่จะเริ่มการผลิตจำนวนมากภายในปี 2029

แม้ว่า Samsung Foundry จะเคยตามหลัง TSMC ในด้านกระบวนการผลิต แต่ขณะนี้มีแผนที่จะเร่งความเร็วอีกครั้ง รายงานจาก Seoul Economic Daily ระบุว่า บริษัทกำลังทำงานกับกระบวนการผลิตระดับ 1 นาโนเมตร ซึ่งคาดว่าจะเข้าสู่การผลิตจำนวนมากได้ตั้งแต่ปี 2029

มีการจัดตั้งทีมพัฒนาใหม่ภายในองค์กรเพื่อทำงานเกี่ยวกับเทคโนโลยีที่จำเป็น รวมถึงการใช้ระบบฉายแสง high-NA EUV อย่างไรก็ตาม ยังไม่ชัดเจนว่ามีการสั่งซื้อเครื่องจักรดังกล่าวจาก ASML แล้วหรือไม่

การเคลื่อนไหวครั้งนี้เกิดขึ้นท่ามกลางความท้าทายทางเทคนิคและเชิงกลยุทธ์ ก่อนหน้านี้ในเดือนมีนาคม Samsung ได้ปฏิเสธข่าวลือเกี่ยวกับการยกเลิกการพัฒนาเทคโนโลยี 1.4 นาโนเมตร แต่ยอมรับว่าโครงการดังกล่าวมีความล่าช้า โดยปัจจุบันมุ่งเน้นไปที่กระบวนการผลิตระดับ 2 นาโนเมตร (SF2) ซึ่งคาดว่าจะพร้อมสำหรับการผลิตภายในสิ้นปี 2025 อย่างไรก็ตาม ประมาณการจากอุตสาหกรรมชี้ว่า ผลผลิตปัจจุบันอยู่ที่ประมาณ 30% เท่านั้น ซึ่งทำให้การผลิตจำนวนมากในปีนี้ไม่น่าเป็นไปได้

เมื่อเปรียบเทียบกันแล้ว คู่แข่งอย่าง TSMC ดูเหมือนจะนำหน้าในด้านการผลิตระดับ 2 นาโนเมตร รายงานระบุว่า TSMC วางแผนที่จะผลิตเวเฟอร์ 60,000 แผ่นภายในสิ้นปี โดยมีผลผลิตมากกว่า 60% และราคาต่อหน่วยสูงถึง 30,000 ดอลลาร์สหรัฐฯ ต่อเวเฟอร์ Samsung ยังตามหลังในเทคโนโลยี 3 นาโนเมตร โดยมีรายงานผลผลิตอยู่ที่ประมาณ 10%

จากสถานการณ์ดังกล่าว แผนก Foundry ของ Samsung ประสบปัญหาในช่วงไตรมาสล่าสุด TrendForce รายงานว่า ส่วนแบ่งตลาดลดลงเหลือ 8.2% ในไตรมาสที่สองของปี 2024 เทียบกับ 14% ในปีก่อนหน้า ซึ่งก่อให้เกิดคำถามเกี่ยวกับความเต็มใจที่จะลงทุนในเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์ชั้นนำในอนาคต

ที่มา : https://www.all-about-industries.com/samsung-peilt-1-nanometer-manufacturing-process-for-2029-an-a-84ee11aac55337b2ac7ea5bd5d0941c6/

About pawarit

Check Also

Samsung เดินหน้าผลิต HBM3E 12Hi จำนวนมาก หวังชิงความได้เปรียบ แม้ Nvidia ยังไม่รับรอง

Samsung เริ่มเดินสายการผลิตหน่วยความจำแบนด์วิธสูงรุ่นล่าสุด HBM3E 12Hi จำนวนมากตั้งแต่ต้นปี 2025 โดยมีการส่งมอบเวเฟอร์ชุดแรกในเดือนกุมภาพันธ์ แต่ละ Stack มีความจุถึง 36 GB จากการอัดแน่นหน่วยความจำ 12 เลเยอร์

Intel เผยรายละเอียด 14A พร้อม Turbo Cells และ PowerDirect หวังทวงคืนบัลลังก์ในปี 2027

ในงานแสดงสินค้า Foundry ของตนเอง Intel ได้เปิดเผยรายละเอียดเชิงลึกเกี่ยวกับเทคโนโลยีการผลิตชิปล่าสุด 14A ซึ่งคาดว่าจะช่วยให้ Intel กลับมาแข่งขันในตลาดได้อย่างแข็งแกร่ง โดยจะเริ่มใช้งานจริงในปี 2027