Tag Archives: Semiconductor

ในการประชุม North America Technology Symposium ที่ผ่านมา Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) ประกาศความพร้อมในการเปิดตัวกระบวนการผลิตชิปล่าสุด A14 ขนาด 1.4 นาโนเมตร โดยคาดว่าจะเริ่มผลิตจำนวนมากได้ภายในปี 2028 ซึ่งเป็นการตอกย้ำแผนการพัฒนาเทคโนโลยีอย่างต่อเนื่องหลังจากการผลิตชิป A16 ในปี 2026

โมดูลพลังงาน MCPF1412 ที่มีอินเทอร์เฟซ I 2 C และ PMBus® ในตัว สำหรับการกำหนดค่าและการตรวจสอบที่ยืดหยุ่น

บริษัท ROHM ได้เปิดตัวโมดูล SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) รูปแบบใหม่ ทั้งแบบ 4-in-1 และ 6-in-1 ในแพ็คเกจ HSDIP20 ซึ่งได้รับการออกแบบมาเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพให้กับวงจร PFC (Power Factor Correction) และ LLC Converter ที่ใช้ในเครื่องชาร์จแบบติดตั้งในตัวรถยนต์ไฟฟ้า (Onboard Charger – OBC) กลุ่มผลิตภัณฑ์ใหม่นี้มีทั้งหมด 13 โมดูล แบ่งเป็น 6 รุ่นสำหรับแรงดันไฟฟ้า 750V และอีก 7 รุ่นสำหรับแรงดันไฟฟ้า 1200V โดย ROHM ได้รวมวงจรพื้นฐานที่จำเป็นสำหรับการแปลงผันพลังงานในหลากหลายแอปพลิเคชันกำลังสูงไว้ในแพ็คเกจขนาดกะทัดรัดนี้

ท่ามกลางความผันผวนของตลาด Kurt Sievers ประธานและประธานเจ้าหน้าที่บริหาร (CEO) ของบริษัทผลิตชิปสัญชาติเนเธอร์แลนด์ NXP ได้ประกาศความตั้งใจที่จะลาออกจากตำแหน่งในช่วงสิ้นปีนี้ อย่างไรก็ตาม บริษัทได้เตรียม Rafael Sotomayor ซึ่งปัจจุบันดำรงตำแหน่งหัวหน้าหน่วยธุรกิจ Secure Connected Edge เป็นผู้สืบทอดตำแหน่งไว้เรียบร้อยแล้ว

ในยุคที่เซมิคอนดักเตอร์มีขนาดเล็กลงแต่ทรงพลังมากขึ้น ปัญหาการจัดการความร้อนจึงกลายเป็นความท้าทายสำคัญสำหรับอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์ ระบบระบายความร้อนแบบเดิมเริ่มแสดงข้อจำกัดในการกำจัดความร้อนออกจากพื้นที่ขนาดเล็กที่มีความหนาแน่นความร้อนสูง อย่างไรก็ตาม นักวิจัยจากมหาวิทยาลัยโตเกียวได้ก้าวข้ามขีดจำกัดนี้ด้วยการสร้างสรรค์โครงสร้างไมโครแชนเนล 3 มิติแบบใหม่สำหรับการระบายความร้อนของชิป ซึ่งมีศักยภาพในการเปลี่ยนแปลงวิธีการจัดการความร้อนในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์อย่างสิ้นเชิง

นักวิศวกรจาก MIT พัฒนาเทคนิคใหม่ในการสร้าง “ผิวหนัง” อิเล็กทรอนิกส์ที่บางเฉียบอย่างยิ่งยวด ซึ่งอาจนำไปสู่การพัฒนา เซ็นเซอร์สวมใส่บางพิเศษ, ทรานซิสเตอร์/คอมพิวเตอร์ยืดหยุ่น, และอุปกรณ์ถ่ายภาพความไวสูงขนาดเล็ก

ทีมนักวิจัยชาวจีนได้สร้างโปรเซสเซอร์ที่ซับซ้อนที่สุดเท่าที่เคยมีมา โดยใช้เซมิคอนดักเตอร์สองมิติ ซึ่งมีชื่อว่า RV32-WUJI ชิปดังกล่าวประกอบด้วยทรานซิสเตอร์จำนวน 5,931 ตัว ที่ทำจาก “โมลิบดีนัมไดซัลไฟด์ (MoS₂)” และมีความหนาเพียงสามชั้นอะตอมเท่านั้น

Seoul Semiconductor ผู้นำระดับโลกด้านนวัตกรรมผลิตภัณฑ์และเทคโนโลยี LED ประกาศว่า ศาลสิทธิบัตรรวม (UPC) ท้องถิ่นปารีส ซึ่งมีเขตอำนาจศาลในยุโรป 18 ประเทศ ได้ออกคำพิพากษาว่า Laser Components SAS ละเมิดสิทธิบัตรเซมิคอนดักเตอร์ออปติกในส่วนแกนหลักของบริษัทในเครือ Seoul Semiconductor

Siemens Digital Industries Software และ TSMC ประกาศขยายความร่วมมืออย่างต่อเนื่องเพื่อสนับสนุนการออกแบบและบูรณาการเซมิคอนดักเตอร์สำหรับเทคโนโลยีขั้นสูง โดยเครื่องมือ Calibre nmPlatform (nmDRC, nmLVS, Calibre YieldEnhancer, PERC), Analog FastSPICE (AFS) และ Solido ของ Siemens ได้รับการรับรองสำหรับกระบวนการผลิต N2P และ A16 ของ TSMC แล้ว นอกจากนี้ Calibre 3DSTACK ยังรองรับเทคโนโลยี 3DFabric และมาตรฐาน 3Dblox ของ TSMC สำหรับการออกแบบการซ้อนและการบรรจุภัณฑ์ซิลิคอน

สถานการณ์การแข่งขันเพื่อความเป็นผู้นำทางเทคโนโลยีในอุตสาหกรรมชิปทวีความตึงเครียดขึ้นอีกครั้ง เมื่อรัฐบาลสหรัฐอเมริกาประกาศมาตรการจำกัดใหม่ เล็งเป้าไปที่บริษัทจีนถึง 140 แห่ง โดยมีเป้าหมายเพื่อชะลอความก้าวหน้าของจีนในด้านยุทธศาสตร์ เช่น ปัญญาประดิษฐ์ (AI) และการใช้งานทางทหาร ซึ่งมาตรการนี้ส่งผลกระทบต่อบริษัทเทคโนโลยีรายใหญ่ของจีนหลายแห่ง รวมถึง Naura Technology Group, Piotech และ SiCarrier Technology